特許

J-GLOBAL ID：200903045604703858

薄膜トランジスタ

発明者： 李 育舟 ,  鄭 ▲そう▼▲き▼
出願人/特許権者： 中華映管股▲ふん▼有限公司
代理人 (5件)： 竹本 松司 ,  杉山 秀雄 ,  湯田 浩一 ,  魚住 高博 ,  手島 直彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-280219
公開番号（公開出願番号）：特開2004-104101
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】 薄膜トランジスタのソース/ドレイン構造と形成方法の提供。【解決手段】 薄膜トランジスタのソース/ドレイン構造は、サンドイッチ構造を使用してソース/ドレインの抵抗を減らし信頼性を高める。該サンドイッチ構造は好ましくは、AlNdN合金/AlNd合金/AlNdN合金の構造を有する。AlNdN合金はバッファ層或いはAlNd合金とアモルファスシリコン層の相互拡散を防止する拡散バリアとされる。もう一つのAlNdN合金は接着層とされると共に、AlNd合金を過度のエッチングより保護する。このもう一つのAlNdN合金はまたAlNd合金と続いて形成されるITOの接触と干渉を防止する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタにおいて、 透明絶縁基板と、 該透明絶縁基板の上に形成された導体ゲートと、 該導体ゲートを被覆する誘電層と、 該誘電層の上に位置する第1半導体層と、 該第1半導体層の上に位置して薄膜トランジスタのチャネルとされる第2半導体層と、 該第2半導体層の上に位置する第1導体層と、 該第1導体層の上に位置する第2導体層と、 該第2導体層の上に位置する第3導体層と、 を具え、該第2半導体層、第1導体層、該第2導体層、該第3導体層が開口を具えて該第1半導体層を露出させ、該第2導体層が薄膜トランジスタのソース/ドレインとされることを特徴とする、薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417

FI (4件)：

H01L29/78 616U ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/50 M

Fターム (31件)：

4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104DD63 ,  4M104GG08 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法と薄膜トランジスタマトリクス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-371424   出願人：富士通株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-125670   出願人：株式会社日立製作所