特許

J-GLOBAL ID：200903045627428030

III族窒化物系化合物半導体レーザ素子

発明者： 安藤 雅信 ,  上村 俊也
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-211765
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055854
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】容易に製造可能な面発光の3族窒化物系化合物半導体レーザー素子を提供すること。【解決手段】n型層であって、3族窒化物系化合物半導体の多重層から成り、反射膜を形成する多重n層102、p型層であって、3族窒化物系化合物半導体の多重層から成り、反射膜を形成する多重p層106、反射率の高い金属から成るp電極107により、多重量子井戸構造を有する活性層104の発光がレーザー発振する。レーザー光は基板裏面側に取り出す。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体レーザ素子であって、 p電極に最も近いIII族窒化物系化合物半導体層を多重層として多重層反射層とし、 p電極を反射率の高い反射膜とし、 基板側にレーザ光を取り出すことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S5/183 ,  H01S5/323

FI (2件)：

H01S5/183 ,  H01S5/323 610

Fターム (11件)：

5F073AA55 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA21 ,  5F073DA30 ,  5F073DA31 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-082869   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-236295
  
• 特開平4-263482
  
• レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-079426   出願人：日亜化学工業株式会社