特許
J-GLOBAL ID：200903090427507275
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-082869
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297476
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】GaN系の青色半導体レーザ装置を実現する。【構成】格子整合したGaN/InAlNで構成されたブラッグ反射鏡5、11で歪量子井戸層(活性層)7を挾み、活性層7を[0001]軸から5°〜10°以上傾斜した軸の方向に成長する。【効果】偏光方向が制御された青色の面発光レーザが実現できる。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともウルツ鉱型半導体である活性層、および屈折率の異なる少なくとも2種類の半導体層を周期的に形成してなるブラッグ反射鏡が結晶成長によって形成され、その成長方向と平行な方向に光を放出する面発光型であることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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