絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：岡戸昭佳 , 富澤孝 , 山中郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-316912
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128507
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】高耐圧化とコンパクト化との両立が図られた絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置100は,セルエリアにゲートトレンチ21およびPフローティング領域51が,終端エリアに終端トレンチ62およびPフローティング領域53がそれぞれ形成されている。また,3本の終端トレンチ62(終端トレンチ621,終端トレンチ622,終端トレンチ623)のうち,終端トレンチ621内についてはゲートトレンチ21と同様の構造を有し,その他の終端トレンチ内については酸化シリコン等の絶縁物で充填されている構造を有している。なお,Pフローティング領域51はゲートトレンチ21の底面から,Pフローティング領域53は終端トレンチ62の底面から,それぞれ不純物を注入することにより形成された領域である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下方に接し第2導電型半導体であるドリフト領域とを有する絶縁ゲート型半導体装置において, 前記ボディ領域を半導体基板の厚さ方向に貫通するとともにセル領域内に位置し,ゲート電極を内蔵する第1トレンチ部群と, 前記ドリフト領域に囲まれるとともに前記第1トレンチ部群のうちの少なくとも1つのトレンチ部の底部を包囲し,第1導電型半導体である第1フローティング領域と, 前記ボディ領域を半導体基板の厚さ方向に貫通するとともにセル領域を取り囲む終端領域内に位置し,半導体基板の上面から見てセル領域を取り囲んで環状をなす第2トレンチ部群と, 前記ドリフト領域に囲まれるとともに前記第2トレンチ部群のうちの少なくとも1つのトレンチ部の底部を包囲し,第1導電型半導体である第2フローティング領域とを有し, 前記第2トレンチ部群のうち,少なくとも最内に位置するトレンチ部には,ゲート電極が内蔵されていることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L29/78 652P , H01L29/78 652F , H01L29/78 652H , H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 653C , H01L29/78 658B

引用特許：

出願人引用 (4件)

電力用半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-186549 出願人：株式会社東芝
高耐圧半導体装置及びこの装置を用いた電力変換器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-237511 出願人：関西電力株式会社, 株式会社日立製作所
特開平1-310576

全件表示

前のページに戻る