特許
J-GLOBAL ID：200903045654680115
高アスペクト比の開口をエッチングする方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-161955
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367960
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板内に高アスペクト比の開口をエッチングする方法を提供する。【解決手段】 臭素含有ガスと,酸素含有ガスと,第1のフッ素含有ガスとを含む第1の気体混合物を用いて形成される第1のプラズマで、基板をエッチングする工程を含む。このエッチング工程は、側壁保護付着物24を形成し、この付着物は、開口14の入口付近に蓄積する。この蓄積を減らし、平均エッチング速度を増大させるために、側壁保護付着物を、シランと第2のフッ素含有ガスとを含む混合物を用いて第2のプラズマを形成することによって定期的に薄くする。基板は、全プロセス中、同じプラズマ反応室チャンバ内に保持され、プラズマは薄化工程中、連続して保持される。幅の40倍より大きい深さを有するトレンチを、エッチングおよび薄化の繰り返しサイクルを用いることによって形成できる。
請求項（抜粋）：
基板内に高アスペクト比の開口をエッチングする方法であって、臭素含有ガスと,酸素含有ガスと,第1のフッ素含有ガスとを含む第1の気体混合物を用いて形成される第1のプラズマで、前記基板をエッチングする工程を含み、このエッチング工程は、同時に、側壁保護付着物を形成し、非ハロゲン化水素含有ガスと、第2のフッ素含有ガスとを含む第2の気体混合物を用いて形成される第2のプラズマで、前記側壁保護付着物を薄化する工程と、前記エッチング工程および薄化工程を繰り返して、前記開口の所望の深さを形成する工程と、を含む方法。
Fターム (13件)：
5F004CA01
, 5F004DA00
, 5F004DA17
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004EA06
, 5F004EA13
, 5F004EA28
, 5F004EB04
, 5F004EB05
, 5F004EB08
