窒化物半導体発光ダイオード

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140967
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335719
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】窒化物半導体よりなる発光チップの電極の剥がれ、ワイヤーの切れ等を無くすことにより、長寿命で信頼性に優れた窒化物半導体LEDを提供する。【構成】基板上に窒化物半導体がヘテロエピタキシャル成長されて、同一面側に正、負一対の電極が設けられてなる発光チップが、少なくともその発光チップに接した第一の封止材料と、第一の封止材料に接した第二の封止材料とで包囲されており、前記第一の封止材料の比重を前記第二の封止材料の比重よりも小さくすることにより、発光チップの順方向電圧が使用最初の順方向電圧よりも低下する。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物半導体がヘテロエピタキシャル成長されて、同一面側に正、負一対の電極が設けられてなる発光チップが、少なくともその発光チップに接した第一の封止材料と、第一の封止材料に接した第二の封止材料とで包囲されており、前記第一の封止材料の比重を前記第二の封止材料の比重よりも小さくすることにより、発光チップの順方向電圧が使用最初の順方向電圧よりも低下することを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭52-071179
特開昭54-019660
特開昭50-042785

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審査官引用 (13件)

特開昭52-071179
特開昭52-071179
特開昭52-071179

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