特許

J-GLOBAL ID：200903045693721066

半導体受光素子

発明者： マロニー ジェームズ ,  古山 英人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229213
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177415
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】本発明は、アナログ的な増幅回路を用いずとも直接的にデジタルの信号出力が可能な半導体受光素子を提供すること。【構成】n型半導体基板1上に形成されたn型エミッタ層2と、このn型エミッタ層2との接合面側に多重量子井戸層3を有するp型ベース層4と、このp型ベース層4に接して形成された半導体光吸収コレクタ層5とを備えており、非能動状態における、n型エミッタ層2から多重量子井戸層3に注入される電子と、半導体光吸収コレクタ層5から多重量子井戸層3に注入される正孔とが結合して消滅する速度が、能動状態における場合のそれより速いことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられたエミッタ領域と、このエミッタ領域との接合面側にキャリア再結合速度制御機構を有するベース領域と、このベース領域上に接し、光吸収によるキャリア発生機構を有した光吸収コレクタ領域とを具備してなり、非能動状態における、前記エミッタ領域側から前記キャリア再結合速度制御機構に注入される第1極性型キャリアと、前記光吸収コレクタ領域から前記結合速度制御機構に注入される第2極性型キャリアとが再結合して消滅する速度が、能動状態における場合のそれより速いことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/107 ,  H01L 31/108

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 B ,  H01L 31/10 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-265178
  
• 特開平3-183169
  
• 特開平4-343273
  
• 受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-170126   出願人：ソニー株式会社