特許
J-GLOBAL ID：200903045709079084
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314957
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150047
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置特性を制御するための実験を、効率良くかつ効果的に製造工程に取り入れる。【解決手段】 製造実験もしくはコンピュータによるシミュレーションの工程に、重要な要因の選択(S18)を備える。また実験用データ(S21からS23)をコンピュータ上に記憶し、全体の処理をコンピュータを用いて自動化するとともに、実験結果に対する統計計算処理や判定にマンマシンインタフェースを備え、半自動化する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の特性に影響する可能性がある複数の製造条件について、最適条件値を設定する製造方法であって、前記最適条件値を決定するための実験を行う工程と、前記実験のために、前記半導体装置の製造工程全体に含まれる前記製造条件について各条件値を定義したデータである初期条件値カードを準備する工程と、前記実験の対象とする前記製造条件を選択する工程と、前記選択した製造条件の各2つの条件値を組み合わせる工程と、前記組み合わせを記録したデータである各条件値カードを作成する工程と、前記初期条件値カードの一部に前記各条件値データを反映して初期実験を行う工程と、前記初期実験の結果に基づいて前記製造条件から重要な条件を選択する工程と、前記選択した重要な製造条件について条件値を増加する工程と、前記増加した製造条件について各条件値カードを変更または追加する工程と、前記初期条件値カードの一部に前記各条件値データを反映して追加実験する工程と、前記初期実験と前記追加実験の結果に基づいて前記半導体装置の特性を前記製造条件の条件値を含む関数式で表現する工程と、前記関数式に基づいて前記最適条件値を決定する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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