特許

J-GLOBAL ID：200903045720557214

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 藤本 康弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-169725
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353651
出願日： 2004年06月08日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】簡便な方法で、発光効率の低下を引き起こさずに発光強度の強い所望の色合いの発光、特に赤色を含む発光や白色の発光を実現する半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体発光素子10は、サファイア基板11と、GaNからなる下地層12と、GaNからなるn型コンタクト層13と、n型のAl0.15Ga0.85Nからなるn型クラッド層14と、In0.15Ga0.85N井戸層とGaN障壁層とが交互に3周期積層された量子井戸構造からなるEuがドープされた発光層15と、p型Al0.15Ga0.85Nからなるp型クラッド層16と、p型のGaNからなるp型コンタクト層17とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光層を含む複数の半導体層を備えた半導体発光素子であって、前記発光層の少なくとも一部に希土類元素が添加されたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-117489   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-258014   出願人：ソニー株式会社