特許

J-GLOBAL ID：200903019947137822

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 秋本 克洋 ,  丸山 隆浩 ,  森島 進一 ,  宮嶋 孝夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258014
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091703
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 Ga1-x Inx Nを発光材料として用いた黄色や赤色で発光可能な発光ダイオードや半導体レーザを実現することができるのみならず、Ga1-x Inx Nを含む窒化物系III-V族化合物半導体を発光材料として用いた様々な波長で発光可能な発光ダイオードや半導体レーザをも実現することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、発光材料として窒化物系III-V族化合物半導体に希土類元素をドープしたものを用いる。例えば、GaN系半導体発光素子において、EuドープGa1-x Inx N活性層6を用いる。窒化物系III-V族化合物半導体中の希土類元素の濃度は1×1018〜1×1021cm-3とする。また、発光層の成長温度は500〜800°Cとする。

請求項（抜粋）：

希土類元素がドープされた窒化物系III-V族化合物半導体からなる発光層を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

Fターム (11件)：

5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F073AA45 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB18 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-098824   出願人：シャープ株式会社
• 化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-261044   出願人：昭和電工株式会社
• 半導体の高キャリア密度化法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-126241   出願人：住友電気工業株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-036924   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー