特許

J-GLOBAL ID：200903045736245158

パワー半導体装置及びその製造方法

発明者： 松田 定 ,  長谷川 武敏 ,  武藤 浩隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-109970
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307696
出願日： 1998年04月20日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 絶縁耐圧が低いという課題があった。【解決手段】 半導体チップ2と、半導体チップで発生する熱を放熱するための金属ベース板3と、半導体チップ2を金属ベース板3から絶縁するためのセラミック板4と、セラミック板4の上面に設けられた第1の金属電極5aと、セラミック板4の下面に設けられた第2の金属電極5bと、金属ベース板3とセラミック板4との間隔を広げるための金属スペーサ7と、半導体チップ2、金属ベース板3、セラミック板4、第1の金属電極5a、第2の金属電極5b及び金属スペーサ7を封止するシリコンゲル11とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、上記半導体チップで発生する熱を放熱するためのベース板と、上記半導体チップを上記ベース板から絶縁するための絶縁板と、上記絶縁板の上面に設けられた第1の電極と、上記絶縁板の下面に設けられた第2の電極と、上記ベース板と上記絶縁板との間隔を広げるためのスペーサと、上記半導体チップ、上記ベース板、上記絶縁板、上記第1の電極、上記第2の電極及びスペーサを封止する絶縁封止材とを備えたパワー半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/36 C ,  H01L 23/12 J ,  H01L 25/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-033277   出願人：富士電機株式会社