特許

J-GLOBAL ID：200903045753366686

半導体装置およびその製造方法

発明者： 牛膓 哲雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-122095
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316315
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】エッチングストッパ層を薄して応力の発生を抑制する。【構成】層間絶縁膜2,5,10と配線層4,9a,9bとが交互に積層され、接続孔7,11により接続される配線層とそれより下層の配線層の間に、接続孔開口用エッチングに対するエッチングストッパー層3,6を有する層間絶縁膜2,5が形成された多層配線構造を有する半導体装置であり、エッチングストッパー層3,6をシリコン窒化膜から構成し、このシリコン窒化膜に対して層間絶縁膜5,10を高選択比でエッチングする。

請求項（抜粋）：

第1のエッチングストッパー層と、前記第1のエッチングストッパー層の上に積層される所定パターンの第1の配線層と、前記第1のエッチングストッパー層および第1の配線層を覆い、前記第1のエッチングストッパー層に対して選択比がとれる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に積層される第2のエッチングストッパー層と、前記第2のエッチングストッパー層および層間絶縁膜に形成され、前記第1の配線層に臨む接続孔と、前記接続孔に埋め込まれる配線材料と、前記第2のエッチングストッパー層の上に形成され、前記配線材料に接続される第2の配線層とを有し、前記第1の配線層の幅が、前記接続孔の幅にほぼ等しい一定幅である半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/302 A ,  H01L 21/88 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-136647
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-278921   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-136647