特許
J-GLOBAL ID：200903045755225605

正極活物質の製造方法およびリチウム二次電池の製造方法

発明者：
山村 英行

山村 英行 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (3件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人 ,  星野 哲郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-259741
公開番号（公開出願番号）：特開2009-087891
出願日： 2007年10月03日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】本発明は、サイクル特性を向上させ、かつ負荷特性を向上させたリチウム二次電池を形成することが可能である正極活物質を提供することを主目的とするものである。【解決手段】本発明は、正極活物質表面にSiO(2-x)を被覆して、SiO(2-x)被膜を形成するSiO(2-x)被覆工程と、上記SiO(2-x)被覆工程で得られた上記SiO(2-x)被膜をフッ素処理することにより、正極活物質表面にフッ素、酸素、およびシリコンを含むフッ素-酸素-シリコン含有非晶質層を形成するフッ素処理工程と、を有することを特徴とするフッ素-酸素-シリコン含有非晶質層被覆正極活物質の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
正極活物質表面にSiO(2-x)を被覆して、SiO(2-x)被膜を形成するSiO(2-x)被覆工程と、前記SiO(2-x)被覆工程で得られた前記SiO(2-x)被膜をフッ素処理することにより、正極活物質表面にフッ素、酸素、およびシリコンを含むフッ素-酸素-シリコン含有非晶質層を形成するフッ素処理工程と、を有することを特徴とするフッ素-酸素-シリコン含有非晶質層被覆正極活物質の製造方法。
IPC (4件)：
H01M 4/36 ,  H01M 4/48 ,  H01M 4/50 ,  H01M 4/52
FI (4件)：
H01M4/36 C ,  H01M4/48 102 ,  H01M4/50 102 ,  H01M4/52 102
Fターム (20件)：
5H050AA02 ,  5H050AA07 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB01 ,  5H050CB02 ,  5H050CB05 ,  5H050CB07 ,  5H050CB08 ,  5H050CB12 ,  5H050EA10 ,  5H050EA24 ,  5H050FA17 ,  5H050FA18 ,  5H050GA11 ,  5H050GA22 ,  5H050HA02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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