特許
J-GLOBAL ID:200903045756069801
半導体研磨スラリー中の金属の定量方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-068175
公開番号(公開出願番号):特開2006-253420
出願日: 2005年03月10日
公開日(公表日): 2006年09月21日
要約:
【課題】研摩スラリーを使用するときに、金属部分と接触して研摩スラリーが金属汚染される可能性がある。これが研摩中に半導体ウエーハに入り込み、基板の特性を損なう。そこで研磨スラリーについて簡単な操作で、従来より低い濃度まで金属を定量できる方法を提供する。【解決手段】 半導体研磨スラリー中の溶解金属の定量方法は、半導体研磨スラリーのpHを1以下とした後、pHを2〜9とするpH調整工程、pH調整した半導体研磨スラリーをキレート担体と接触させるキレート担体接触工程、半導体研磨スラリーと接触させた後のキレート担体に、酸水溶液を接触させる酸抽出工程、酸抽出工程で得た酸抽出液中の金属を定量する金属定量工程、を含んでなる。また、全金属の定量の場合には、先ず半導体研磨スラリーにフッ酸を加えて50〜300°Cにて処理するフッ酸処理工程を経てから、上記の各工程を行う。【選択図】なし
請求項(抜粋):
半導体研磨スラリー中の溶解金属の定量において、
前記半導体研磨スラリーのpHを1以下とした後、pHを2〜9とするpH調整工程;
前記pH調整した半導体研磨スラリーをキレート機能を有する担体と接触させるキレート担体接触工程;
前記半導体研磨スラリーと接触させた後のキレート機能を有する担体に、酸水溶液を接触させる酸抽出工程;
前記酸抽出工程で得た酸抽出液中の金属を定量する金属定量工程;
を含んでなることを特徴とする半導体研磨スラリー中の金属の定量方法。
IPC (3件):
H01L 21/304
, G01N 31/00
, G01N 33/40
FI (3件):
H01L21/304 622A
, G01N31/00 S
, G01N33/40
Fターム (16件):
2G042AA01
, 2G042BC02
, 2G042BC05
, 2G042BC06
, 2G042BC07
, 2G042BC08
, 2G042BC10
, 2G042BC11
, 2G042BC12
, 2G042BC13
, 2G042BC14
, 2G042EA03
, 2G042FA01
, 2G042FA06
, 2G042FB02
, 2G042GA05
引用特許:
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