特許

J-GLOBAL ID：200903045761161155

電子装置の製造方法

発明者： 進藤 寿 ,  沖田 彰
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288475
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189534
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 ドライエッチング装置の搬送系あるいは基板チャック等の装置内で発生する傷、あるいは異物に起因する素子欠陥が無い、電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上にシリコン窒化膜を配して構成される電子装置の製造方法において、前記基板の第1の面上及び該第1の面の反対側に位置する第2の面上に、それぞれシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とを積層する工程、前記第1の面上に位置する前記シリコン酸化膜をウェットエッチングにより除去する工程、前記第1の面上に位置する前記シリコン窒化膜をウェットエッチングにより除去する工程及び、前記第2の面上に位置する前記シリコン酸化膜をウェットエッチングにより除去する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上にシリコン窒化膜を配して構成される電子装置の製造方法において、前記基板の第1の面上及び該第1の面の反対側に位置する第2の面上に、それぞれシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とを積層する工程、前記第1の面上に位置する前記シリコン酸化膜をウエットエッチングにより除去する工程、前記第1の面上に位置する前記シリコン窒化膜をウエットエッチングにより除去する工程及び、前記第2の面上に位置する前記シリコン酸化膜をウエットエッチングにより除去する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/786 ,  B41J 2/16

FI (6件)：

H01L 21/306 E ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/88 C ,  H01L 29/78 626 C ,  B41J 3/04 103 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコンウェハのエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-005118   出願人：セイコー電子工業株式会社