特許
J-GLOBAL ID：200903045768684943

半導体装置の作製方法及び電子書籍の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
高山 徹

高山 徹 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-181178
公開番号（公開出願番号）：特開2009-258758
出願日： 2009年08月04日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製するための技術を提供する。【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に少なくともTFT素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、 前記樹脂基板上に少なくともTFT素子を形成する工程と、 前記分離層にレーザー光を照射することにより、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
G09F 9/00 ,  G02F 1/133 ,  G02F 1/136 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
G09F9/00 338 ,  G02F1/1333 500 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 626C
Fターム (90件)：
2H090JB03 ,  2H092JA26 ,  2H092MA16 ,  2H092PA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HJ30 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HM12 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ25 ,  5G435AA07 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435EE12 ,  5G435EE13 ,  5G435FF08 ,  5G435GG42 ,  5G435HH02 ,  5G435HH13 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08 ,  5G435LL14 ,  5G435LL17
引用特許：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM