特許

J-GLOBAL ID：200903045781760012

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 佐藤 康夫
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-188922
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031963
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 フラッシュメモリのメモリセルの過剰消去を防止する。【構成】 浮遊ゲートが製造直後の初期状態又は紫外線消去を行った状態 (initial)の時のメモリセルのしきい値電圧を、チャネル領域での不純物濃度を調整することにより、電気的消去状態におけるしきい値電圧2Vと書き込み状態におけるしきい値電圧7Vとの間の4Vに設定する。

請求項（抜粋）：

チャネル領域を隔てて互いに対向した一対の第1導電型の不純物拡散層が形成された第2導電型の半導体基板の上記チャネル領域上に、第1の絶縁膜、浮遊ゲート、第2の絶縁膜及び制御ゲートが順次形成された浮遊ゲート型のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、上記浮遊ゲートが中性状態の時の上記メモリセルのしきい値電圧が、上記メモリセルが消去状態の時のしきい値電圧と書き込み状態の時のしきい値電圧との間の値に設定されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-194197
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-254354   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-073341   出願人：ソニー株式会社
• 特開平1-194197