特許

J-GLOBAL ID：200903045801023621

半導体装置

発明者： 古川 彰彦 ,  阿部 雄次
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102119
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298319
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、チャネル領域のキャリア濃度がチャネル表面近傍で低く、ソース、ドレイン拡散層の接合深さ位置近傍で高い、低しきい値電圧でかつパンチスルー耐性に強いMOS型電界効果トランジスタの構造を提供する。【構成】 MOS型電界効果トランジスタのチャネル領域の表面近傍領域にイオン注入により窒素原子注入領域を設けた後熱処理を行うことにより、該窒素原子注入領域内のキャリア濃度を低く抑えて形成する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型のシリコン基板上に作製されたMOS型半導体装置において、第2の導電型のドレイン領域及びソース領域にはさまれた第1の導電型のチャネル領域が、窒素原子注入領域を設けたシリコン基板表面にある低濃度チャネル領域と、該低濃度チャネル領域の下部に設けられた高濃度チャネル領域よりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 21/265 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-046272
  
• 特開平3-046238
  
• 集積回路トランジスタ構成体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-261918   出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド