半導体集積回路装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-177884
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022915
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】界面活性剤が添加されたバッファドHF液で酸化膜エッチングを行う時、シリコン基板に局所的なシリコンの削れ(ピット)が生じない半導体集積回路装置の製造技術を提供する。【解決手段】本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、(1)第1導電型のシリコン基板1(100)と、前記基板の主面を第1島領域と第2島領域とに分離する一部が前記基板内に埋め込まれた絶縁分離領域(108)と、前記第2島領域内に形成されたPN接合を構成する第1、第2半導体領域(103,105i)と、前記第1島領域主面に形成された第1酸化膜(109)および前記第2島領域に形成された第2酸化膜(109)と、前記第2酸化膜を露出し、前記第1酸化膜を覆うレジストマスク(110)とを有する半導体本体を準備する工程、(2)3.5ルクス以上の照度を有する雰囲気内において、前記第2酸化膜を界面活性剤が添加されたフッ酸系エッチング液により除去し、前記第2半導体領域(105i)の主面を露出する工程、(3)前記露出した前記第2半導体領域(105i)にFTO(トンネル酸化)膜を形成する工程、からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

以下の工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法; (1)第1導電型のシリコン基板と、前記基板の主面を第1島領域と第2島領域とに分離する一部が前記基板内に埋め込まれた絶縁分離領域と、前記第2島領域内に形成されたPN接合を構成する第1、第2半導体領域と、前記第1島領域主面に形成された第1酸化膜および前記第2島領域に形成された第2酸化膜と、前記第2酸化膜を露出し、前記第1酸化膜を覆うレジストマスクとを有する半導体本体を準備する工程、 (2)3.5ルクス以上の照度を有する雰囲気内において、前記第2酸化膜を界面活性剤が添加されたフッ酸系エッチング液により除去し、前記第2島領域の主面を露出する工程、 (3)前記露出した第2島領域表面に絶縁膜を形成する工程。

IPC (8件)：

H01L21/8234 , H01L21/306 , H01L21/8247 , H01L27/088 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (5件)：

H01L27/08 102C , H01L27/10 461 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/306 D

Fターム (68件)：

5F043AA33 , 5F043AA37 , 5F043BB22 , 5F043BB25 , 5F043DD08 , 5F043DD13 , 5F043EE01 , 5F048AA07 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB16 , 5F048BC06 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BG12 , 5F048BG14 , 5F083AD00 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP43 , 5F083EP54 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083ER22 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083MA05 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR05 , 5F083PR43 , 5F083PR53 , 5F083ZA06 , 5F083ZA07 , 5F083ZA12 , 5F101BA07 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD07 , 5F101BD24 , 5F101BD27 , 5F101BD30 , 5F101BD35 , 5F101BD36 , 5F101BD37 , 5F101BE07 , 5F101BH06 , 5F101BH15 , 5F101BH21

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-148904 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-145258 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-007457 出願人：松下電子工業株式会社

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