特許

J-GLOBAL ID：200903045824195020

静電誘導型トランジスタの製造方法

発明者： 吉川 秀之
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061674
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236781
出願日： 1995年02月24日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイスのガードリング構造の形成において、長時間の熱処理工程を大幅に短縮させ、デバイスの性能を再現性よく得る製造方法を供する。【構成】 シリコンウエハーに所望の深さよりも、わずかに浅い溝をエッチングにより形成し、その後、エッチング部分に数μmの厚さで拡散を行い、所望のガードリング部7を得ることができる静電誘導型トランジスタの製造方法。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体層からなるソース及びドレイン領域と、それに挟まれた逆導電型のゲート領域とからなる埋め込みゲート型で、素子周辺部にガードリング構造を有する静電誘導型トランジスタにおいて、ガードリングのための溝をエッチングによって素子周辺部に形成した後に、該溝の表面に所定の厚さの拡散層を生成させて、ガードリング構造を形成することを特徴とする静電誘導型トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/80 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/80 V ,  H01L 29/78 654 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-272152
  
• 特開昭50-127577
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-092351   出願人：日本碍子株式会社
• 特開平1-272152
  
• 特開昭50-127577