共鳴トンネル障壁構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224303
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037275
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】量子井戸構造を単一の半導体構造として結晶構造の作製を簡便にし、かつ、高JP、低VP、高VR-VPを同時に実現可能にする共鳴トンネル障壁構造を提供する。【解決手段】第1の半導体In0.53Ga0.47Asからなるn型コレクタ層1と、第2の半導体In0.53Ga0.47Asからなるn型エミッタ層2と、第1および第2の半導体中のキャリアに対して障壁として作用する第3の半導体AlAsからなり、導電性が中性の第1の障壁層3と、第4の半導体In0.8Ga0.2Asからなり、導電性が中性で、その導電帯の下端が第2の半導体の導電帯の下端よりも低いポテンシャル位置にある厚みが単原子層以上、60nm以下の量子井戸層4と、第1の半導体および第2の半導体中のキャリアに対して障壁として作用する第5の半導体AlAsからなり、導電性が中性である第2の障壁層5とを有する共鳴トンネル障壁構造。

請求項（抜粋）：

第1の半導体からなり、n型の導電性を有するコレクタ層と、第2の半導体からなり、n型の導電性を有するエミッタ層と、前記第1の半導体および前記第2の半導体中のキャリアに対して障壁として作用する第3の半導体からなり、導電性が中性である第1の障壁層と、第4の半導体からなり、導電性が中性であって、その導電帯の下端が前記第2の半導体の導電帯の下端よりも低いポテンシャル位置にある量子井戸層と、前記第1の半導体および前記第2の半導体中のキャリアに対して障壁として作用する第5の半導体からなり、導電性が中性である第2の障壁層とが、前記コレクタ層、前記第1の障壁層、前記量子井戸層、前記第2の障壁層、前記エミッタ層の順に積層されて構成された共鳴トンネル障壁構造であって、前記第1の半導体および前記第2の半導体がIn0.53Ga0.47Asからなり、前記第4の半導体が、Inの混晶比が0.70以上、0.95以下のInGaAsからなり、その厚みが単原子層以上、60nm以下であることを特徴とする共鳴トンネル障壁構造。

IPC (2件)：

H01L 29/88 , H01L 29/06 601

FI (2件)：

H01L 29/88 S , H01L 29/06 601 W

引用特許：

出願人引用 (5件)

ヘテロ接合半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-237045 出願人：シャープ株式会社
特開平1-171267
特開昭62-111469

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審査官引用 (5件)

ヘテロ接合半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-237045 出願人：シャープ株式会社
特開平1-171267
特開昭62-111469

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