特許

J-GLOBAL ID：200903045834532564

光誘起屈折率変化ガラス材料の製造方法、光誘起屈折率変化ガラス材料およびガラス材料の屈折率変化方法

発明者： 西井 準治 ,  福味 幸平 ,  茶谷原 昭義 ,  藤井 兼栄 ,  山中 裕
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院大阪工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025754
公開番号（公開出願番号）：特開平9-202643
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】導波路構造の形成に適した目的の深さにGeをドープして、高い光誘起屈折率変化を誘起することができるガラス材料を提供することを主な目的とする。【解決手段】I.イオン注入法によりSiO2基板上にGeイオンを注入した後、熱処理することを特徴とする光誘起屈折率変化ガラス材料の製造方法。II.上記の方法により得られた光誘起屈折率変化ガラス材料。III.上記の方法により得られたガラス材料に紫外線を照射することを特徴とするガラス材料の屈折率変化方法。

請求項（抜粋）：

イオン注入法によりSiO2基板中にGeイオンを注入した後、熱処理することを特徴とする光誘起屈折率変化ガラス材料の製造方法。

IPC (3件)：

C03C 4/04 ,  C03C 21/00 ,  G02B 1/00

FI (3件)：

C03C 4/04 ,  C03C 21/00 B ,  G02B 1/00