特許
J-GLOBAL ID：200903045843018776

半導体集積回路の故障解析装置及び故障解析方法

発明者：
村上 民枝

村上 民枝 について


出願人/特許権者：
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 について

, 
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201210
公開番号（公開出願番号）：特開2004-045132
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】エミッション解析装置を用いて真の故障箇所を特定しかつその故障の要因を特定する。【解決手段】故障解析を行う半導体集積回路のファンクションテストを行い、所望の電気的特性が得られない故障箇所のノードを特定するファンクションテスタ17と、半導体集積回路から放出されるホットエレクトロンに基づく発光点を検出して発光像を取得し、この発光像と、良品の半導体集積回路から放出されるホットエレクトロンによる発光像との差に基づいて故障解析を行い、故障箇所を特定し、その座標データを生成するエミッション解析装置23と、ファンクションテスタ17のテスト結果及びエミッション解析装置23の解析結果を受けて、故障解析を行う半導体集積回路に故障が発生しているか否かを判定すると共に故障が発生している際にその故障要因を判定する制御・判定部14とを具備している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電源電圧及びテスト信号を発生し、故障解析を行う半導体集積回路に供給してファンクションテストを行い、所望の電気的特性が得られない故障箇所のノードを特定するファンクションテスタと、 前記電源電圧及びテスト信号を受けて動作する前記半導体集積回路から放出されるホットエレクトロンに基づく発光点を検出して発光像を取得し、この発光像と、故障解析を行う前記半導体集積回路と同一種類の良品の半導体集積回路に前記電源電圧及びテスト信号と同じ電源電圧及びテスト信号を供給して動作させた際にこの良品の半導体集積回路から放出されるホットエレクトロンによる発光像との差に基づいて故障解析を行って、故障解析を行う前記半導体集積回路の故障箇所を特定し、その座標データを生成する発光像解析装置と、 前記ファンクションテスタのテスト結果及び発光像解析装置の解析結果を受けて、故障解析を行う前記半導体集積回路に故障が発生しているか否かを判定すると共に故障が発生している際にその故障要因を判定する判定装置 とを具備したことを特徴とする半導体集積回路の故障解析装置。
IPC (3件)：
G01R31/28 ,  G01R31/302 ,  H01L21/66
FI (8件)：
G01R31/28 H ,  H01L21/66 B ,  H01L21/66 H ,  H01L21/66 J ,  H01L21/66 P ,  H01L21/66 T ,  G01R31/28 G ,  G01R31/28 L
Fターム (29件)：
2G132AA00 ,  2G132AB01 ,  2G132AC01 ,  2G132AC14 ,  2G132AD15 ,  2G132AE14 ,  2G132AE16 ,  2G132AE18 ,  2G132AE23 ,  2G132AG01 ,  2G132AG02 ,  2G132AG12 ,  2G132AG15 ,  2G132AH03 ,  2G132AK07 ,  2G132AK14 ,  2G132AL12 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA18 ,  4M106CA42 ,  4M106CA50 ,  4M106CA51 ,  4M106DA15 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23 ,  4M106DJ38
引用特許：
審査官引用 (4件)
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