特許
J-GLOBAL ID：200903045844159888
発光デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 有古特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-299991
公開番号（公開出願番号）：特開2009-129941
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：
【課題】 ナノワイヤを用いた発光素子を有し、その側壁発光の基板への入射を簡易な構成により抑制することが可能な発光デバイスを提供する。【解決手段】 基板1と、基板上に形成された絶縁膜2と、絶縁膜上に形成された第1導電型のSiC膜3と、SiC膜上に形成された、第1導電型の半導体層5と、発光層6と、第2導電型の半導体層7とが順に積層されてなる複数の柱状結晶構造体8と、SiC膜上に形成された第1導電型側電極11と、複数の柱状結晶構造体の上に形成された第2導電型側電極9と、を有する発光素子100と、を備え、絶縁膜2の屈折率がSiC膜3の屈折率と異なっており、絶縁膜2の厚さが、発光層6の発光波長を、絶縁膜2の屈折率の3倍以上かつ5倍以下の数値で割った厚さであり、SiC膜3の厚さが、発光層6の発光波長を、SiC膜3の屈折率の3倍以上かつ5倍以下の数値で割った厚さである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第1導電型のSiC膜と、前記SiC膜上に形成された、第1導電型の半導体層と、発光層と、第2導電型の半導体層とが順に積層されてなる複数の柱状結晶構造体と、前記SiC膜上の前記柱状結晶構造体が形成されていない領域に形成された第1導電型側電極と、前記複数の柱状結晶構造体の上に形成された透明な第2導電型側電極と、を有する発光素子と、を備え、
前記絶縁膜の屈折率が前記SiC膜の屈折率と異なっており、
前記絶縁膜の厚さが、前記発光層が発光する光の波長(以下、発光波長という)を、前記絶縁膜の屈折率の3倍以上かつ5倍以下の数値で割った厚さであり、
前記SiC膜の厚さが、前記発光層の発光波長を、前記SiC膜の屈折率の3倍以上かつ5倍以下の数値で割った厚さである、発光デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F041AA31
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA10
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA66
, 5F041CA73
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CB27
, 5F041CB36
