特許
J-GLOBAL ID：200903007718719070

発光ダイオードおよびその製造方法

発明者：
キム ファ モク

キム ファ モク について

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カン タエ ウォン

カン タエ ウォン について

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チュン クワン ソー

チュン クワン ソー について


出願人/特許権者：
ドンゴク ユニバーシティ

ドンゴク ユニバーシティ について


代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  鈴木 亨 ,  八本 佳子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-036604
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228936
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 高輝度、高発光効率のGaNのLEDおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 p-n接合GaNナノロッドのp-n接合面にInGaN量子井戸(quantum well)を差し込んで、n型GaNナノロッド31、InGaN量子井戸33、およびp型GaNナノロッド35がこの順に長手方向に連続してなるGaNナノロッド30を用いる。また、このようなGaNナノロッドを多数個アレイ状に配置して、従来の積層フィルム状のGaNのLEDに比べてさらに高輝度、高発光効率のLEDを提供する。【選択図】図1(a)
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の垂直方向に形成された第1導電型のGaNナノロッド(nanorod)と、この第 1導電型のGaNナノロッドの上に形成されたInGaN量子井戸(quantum well)と、このInGaN量子井戸上に形成された第2導電型のGaNナノロッドを各々備える多数のナノロッドとからなるナノロッドアレイ(nanorod array)と、 前記ナノロッドアレイの第1導電型のGaNナノロッドに共通して連結されて電圧を印加する電極パッドと、 前記ナノロッドアレイの第2導電型のGaNナノロッド上に共通して連結されて電圧を印加する透明電極とを備える発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (10件)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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