特許

J-GLOBAL ID：200903045847560656

半導体装置

発明者： 西尾 哲史
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (4件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-150763
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324244
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】半導体素子をパッケージ内に搭載し蓋部材によって気密封止した構造の半導体装置の放熱特性および吸湿特性を向上し、高品質、高信頼性を実現する。【解決手段】パッケージ1の材料よりも熱伝導率が高い高熱伝導部11を半導体素子3に接するようにパッケージ1を貫通して設け、高熱伝導部11に接続する放熱板10をパッケージ1の外面に設ける。半導体素子3の熱を高熱伝導部11を通じて効率よく放熱板10に伝え、放熱板10から直接に周囲環境に逃がすことができるので、放熱特性に優れることとなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

凹状に形成され外部接続用の導体部が設けられたパッケージと、前記パッケージ内に搭載され前記導体部に電気的に接続された半導体素子と、前記パッケージの開口部を気密封止した蓋部とを有した半導体装置において、前記パッケージの材料よりも熱伝導率が高い高熱伝導部が前記半導体素子に接するように前記パッケージを貫通して設けられ、前記高熱伝導部に接続する放熱板が前記パッケージの外面に設けられた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/34 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/26 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (5件)：

H01L23/34 A ,  H01L23/02 F ,  H01L23/26 ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 V

Fターム (17件)：

4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA24 ,  4M118HA25 ,  4M118HA30 ,  4M118HA33 ,  4M118HA35 ,  4M118HA40 ,  5C024EX26 ,  5F136BA30 ,  5F136BB02 ,  5F136BB18 ,  5F136DA33 ,  5F136EA26 ,  5F136FA51 ,  5F136FA62 ,  5F136FA82

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電子部品固着剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-117657   出願人：松下電器産業株式会社