不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-397651
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193598
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】本発明の目的は、3層ポリシコンゲートを用いた仮想接地型メモリセルの微細化、高性能化および歩留まり向上に関する新たな不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】メモリセルにおいて、浮遊ゲート115bの端面のうちワード線117a及びチャネルとそれぞれ垂直な方向に存在する2つの端面のそれぞれの一部が第3ゲート109aの上部に絶縁膜110aを介して乗り上げるように形成されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面側に所定の間隔を置いて形成されたソース領域およびドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域間に形成されたチャネル領域と、前記ドレイン側のチャネル領域上に第1ゲート絶縁膜を介して設けられた第1のゲートと、前記ソース側のチャネル領域上には第2ゲート絶縁膜を介して、その側面側が第1絶縁膜で覆われ、その上面には第2絶縁膜が設けられた第2のゲートとを備え、前記第1のゲートは、前記第1ゲート絶縁膜上および前記第1絶縁膜の側面と前記第2絶縁膜の側面を覆うように形成され、その一端部が前記第2絶縁膜の側面に設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L21/8247 , G11C16/04 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (4件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 481 , H01L27/10 434 , G11C17/00 622

Fターム (39件)：

5B025AA01 , 5B025AC01 , 5F083EP02 , 5F083EP24 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP55 , 5F083ER02 , 5F083ER09 , 5F083ER19 , 5F083ER22 , 5F083ER30 , 5F083GA09 , 5F083GA27 , 5F083JA04 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083KA06 , 5F083NA01 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083ZA07 , 5F083ZA08 , 5F101BA12 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB04 , 5F101BC11 , 5F101BD22 , 5F101BD24 , 5F101BD27 , 5F101BD35 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BH21

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにその動作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-200242 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-257990 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社

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