特許
J-GLOBAL ID：200903045863072106
化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356996
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186607
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 発光層やp形層の電気伝導形等を考慮に入れて最適な電流阻止層を形成することで、発光をもたらす素子動作電流を有効に発光領域の略全面に拡散させ発光面積を拡張し、これにより発光出力を充分に発揮させることができるようにする。【解決手段】 この発明は、n形発光層2に積層したp形半導体層3上にp形パッド電極5を設けて成る化合物半導体発光素子10において、p形半導体層3の内部に、n形不純物をイオン注入して形成したイオン注入領域6を電流阻止層として設け、そのイオン注入領域6の上方にp形パッド電極5を設けた、ことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
n形発光層に積層したp形半導体層上にp形パッド電極を設けて成る化合物半導体発光素子において、上記p形半導体層の内部に、n形不純物をイオン注入して形成したイオン注入領域を電流阻止領域として設け、そのイオン注入領域の上方に上記p形パッド電極を設けた、ことを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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