特許
J-GLOBAL ID:200903045896472509
線膨張係数を制御したポリイミドフィルム及び積層体
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-230272
公開番号(公開出願番号):特開2002-179821
出願日: 2001年07月30日
公開日(公表日): 2002年06月26日
要約:
【要約】【課題】 薄い厚みの3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸成分とp-フェニレンジアミン成分系ポリイミドフィルムであって、銅張積層体などの回路用銅-ポリイミドフィルム積層体を製造してもカ-ルの少ない、特に銅箔を内側にしたカ-ルが生じない芳香族ポリイミドフィルムを提供する。【解決手段】 3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸成分とp-フェニレンジアミン成分とのポリイミドからなり、厚みが35〜55μmで、50〜200°Cにおける線膨張係数(TD)が17〜24×10-6cm/cm/°Cで、かつ引張弾性率(TD)が700kgf/mm2以上であり、放電処理されてなるポリイミドフィルム。
請求項(抜粋):
3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸成分とp-フェニレンジアミン成分とを必須成分として有するポリイミドからなり、厚みが35〜55μmで、50〜200°Cにおける線膨張係数(TD)が17〜24×10-6cm/cm/°Cで、かつ引張弾性率(TD)が700kgf/mm2以上であり、その表面が放電処理されてなるポリイミドフィルム。
IPC (5件):
C08J 7/00 303
, C08J 7/00 CFG
, B32B 27/34
, C08G 73/10
, C08L 79:08
FI (5件):
C08J 7/00 303
, C08J 7/00 CFG
, B32B 27/34
, C08G 73/10
, C08L 79:08 Z
Fターム (41件):
4F073AA01
, 4F073BA31
, 4F073BB01
, 4F073CA21
, 4F100AB01C
, 4F100AB17C
, 4F100AK42
, 4F100AK49A
, 4F100AR00B
, 4F100BA02
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10B
, 4F100BA10C
, 4F100DC11
, 4F100EJ62A
, 4F100GB43
, 4F100JA02A
, 4F100JB13G
, 4F100JK07A
, 4F100JL04
, 4F100JL14B
, 4F100YY00A
, 4J043PA02
, 4J043QB31
, 4J043RA35
, 4J043SA06
, 4J043TA14
, 4J043TA22
, 4J043UA121
, 4J043UA122
, 4J043UA131
, 4J043UA132
, 4J043UA151
, 4J043UB011
, 4J043UB121
, 4J043UB131
, 4J043UB152
, 4J043UB402
, 4J043VA011
引用特許:
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