半導体装置の製造方法、マスクの製造方法、露光方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：真田有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-007327
公開番号（公開出願番号）：特開2007-189140
出願日： 2006年01月16日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

【課題】所望寸法の転写パターンを精度良く形成できるようにする。【解決手段】半導体装置の製造方法を、異なるマスク基板上に異なるパターン1A,1Bを有する複数のマスクを用いて多重露光を行なって、幅又は角度が変化するラインを含む転写パターンを形成する工程を含むものとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

異なるマスク基板上に異なるパターンを有する複数のマスクを用いて多重露光を行なって、幅又は角度が変化するラインを含む転写パターンを形成する工程を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20

FI (4件)：

H01L21/30 514A , H01L21/30 502P , G03F1/08 A , G03F7/20 501

Fターム (9件)：

2H095BA05 , 2H095BB02 , 2H095BB36 , 2H095BC09 , 2H097AA12 , 2H097LA10 , 5F046AA07 , 5F046AA25 , 5F046CB17

引用特許：

出願人引用 (5件)

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審査官引用 (5件)

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