特許
J-GLOBAL ID：200903045936171159
フラッシュEEPROMセル、その製造方法、プログラム方法及び読出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中川 周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118037
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120998
出願日： 1996年05月13日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：
【要約】【課題】4進情報をプログラム及び読出することができるメモリセルを提供するとに目的がある。【解決手段】チャネル(channel)領域の上部に、2個のフローテイングゲート(floating gate)を形成し、この2個のフローテイングゲートそれぞれのプログラム及び消去如何により、4進情報の出力を得ることができるように構成する。
請求項（抜粋）：
フラッシュEEPROMセルにおいて、互いに水平隣接し、トンネル酸化膜により下部のシリコン基板と電気的に分離される第1及び第2フローティングゲートと、上記第1及び第2フローティングゲートを含む上部面に形成される誘電体膜と、上記誘電体膜上部に形成され、上記誘電体膜により、上記第1及び第2フローティングゲートと電気的に分離されるコントロールゲートと、上記シリコン基板に形成され、上記第1及び第2フローティングゲート各々の外側部と一部重なるように形成されるソース及びドレーンとからなることを特徴とするフラッシュEEPROMセル。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
