特許

J-GLOBAL ID：200903045962800415

酸化亜鉛薄膜の製造方法

発明者： 羽賀 浩一 ,  角田 巧 ,  長谷川 千尋
出願人/特許権者： 独立行政法人国立高等専門学校機構 ,  宇部興産株式会社
代理人 (3件)： 津国 肇 ,  束田 幸四郎 ,  齋藤 房幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-068501
公開番号（公開出願番号）：特開2008-231457
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】 CVD法により酸化亜鉛薄膜を製造する方法であって、酸素欠損による抵抗値低下の少ない高抵抗値を有する酸化亜鉛薄膜の製造法を提供する。【解決手段】亜鉛錯体および酸素源を用いて化学気相蒸着法(CVD法)により酸化亜鉛薄膜を製造する方法であって、成膜の工程の後、成膜基板を、高酸素分圧下、高温で保持する工程を含む方法;ならびに化学気相蒸着法により製造した酸化亜鉛薄膜の抵抗値を上昇させる方法であって、酸化亜鉛薄膜を成膜した基板を、高酸素分圧下、高温で保持する工程を含む方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

亜鉛錯体および酸素源を用いて化学気相蒸着法により酸化亜鉛薄膜を製造する方法であって、蒸着による成膜の工程の後、成膜基板を、高酸素分圧下、高温で保持する工程を含む方法。

IPC (2件)：

C23C 16/56 ,  H01L 21/365

FI (2件)：

C23C16/56 ,  H01L21/365

Fターム (21件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA45 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030LA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AE25 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22

引用特許：

出願人引用 (2件)

• シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-219280   出願人：株式会社東北テクノアーチ
• 国際特許公報PCT/JP2005/087697号パンフレット