レジストパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-275005
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098231
出願日： 2006年10月06日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】良好な形状で、かつ高解像性のレジストパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】支持体1上に、化学増幅型レジスト組成物を塗布してレジスト膜2を形成し、当該レジスト膜2に対して、フォトマスク5を介して選択的露光を複数回行うレジストパターン形成方法であって、前記選択的露光毎に用いられるフォトマスク5の遮光部の透過率の総和を0〜12%未満とすることを特徴とするレジストパターン形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持体上に、化学増幅型レジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に対して、フォトマスクを介して選択的露光を複数回行うレジストパターン形成方法であって、前記選択的露光毎に用いられるフォトマスクの遮光部の透過率の総和を0〜12%未満とすることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/039

FI (3件)：

H01L21/30 514A , G03F1/08 G , G03F7/039 601

Fターム (21件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CB52 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA04 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H095BA02 , 2H095BC04 , 5F046AA13 , 5F046BA04 , 5F046CB17

引用特許：

出願人引用 (1件)

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-201310 出願人：東京応化工業株式会社

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