半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181467
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046193
出願日： 1994年08月02日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】電流検出セルの破壊耐量を向上し、またキャリアライフタイムコントロールの影響を受けない精密な電流検出可能な、電流検出セル内蔵半導体装置を提供する。【構成】ボンディングパッド部に接続された電流検出セルの周辺を主電流ユニットセルで囲んで半導体基板上に配置する。

請求項（抜粋）：

主電流側ユニットセルと、電流検出用ボンディングパッド部を有した電流検出セルとを同一半導体基板上に形成した半導体装置において、該電流検出セルが該主電流側ユニットセルに挾まれていることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 655 E , H01L 29/78 657 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

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