特許
J-GLOBAL ID:200903046023177582

半導体装置の製造方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-268974
公開番号(公開出願番号):特開平7-122612
出願日: 1993年10月27日
公開日(公表日): 1995年05月12日
要約:
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法及び装置に関し、ある工程で発生した汚染物質が他の工程へ持ち込まれないようにすることができる半導体装置の製造方法及び装置を実現することを目的とする。【構成】 搬送手段により搬送されて来る基板に対して第1のユニット内で少なくとも第1の工程を施す第1のステップと、搬送手段とは異なる搬送手段により搬送されて来る基板に対して第2のユニット内で少なくとも第2の工程を施す第2のステップとを含むように構成する。
請求項(抜粋):
搬送手段により搬送されて来る基板に対して第1のユニット内で少なくとも第1の工程を施す第1のステップと、該搬送手段とは異なる搬送手段により前記第1の工程を経て搬送されて来る該基板に対して第2のユニット内で少なくとも第2の工程を施す第2のステップとを含む、半導体装置の製造方法。
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 真空処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-174867   出願人:富士通株式会社
  • 特開平4-245661
  • 特開平4-073948
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審査官引用 (9件)
  • 真空処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-174867   出願人:富士通株式会社
  • 特開平4-245661
  • 特開平4-245661
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