特許

J-GLOBAL ID：200903046030650668

半導体装置

発明者： 内田 清宏 ,  堤 慶介 ,  川上 稔 ,  出田 吾朗
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-245365
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059860
出願日： 2001年08月13日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 裏面電極を形成した後、加熱処理を行っても、スクラブが不要で信頼性の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】 p型半導体基板から成る基材を有し、その基材の裏面上には複数の金属層から成る裏面電極が形成されて成る半導体装置において、裏面電極を、基材側からこの順で積層された、Al層と、バリアメタル層と、Ni層と、Ag層と、Au層とで構成する。

請求項（抜粋）：

p型半導体基板から成る基材を有し、該基材の裏面上には複数の金属層から成る裏面電極が形成されて成る半導体装置において、前記裏面電極が、前記基材側からこの順で積層された、Al層と、バリアメタル層と、Ni層と、Ag層と、Au層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/52

FI (2件)：

H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/52 B

Fターム (15件)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD81 ,  4M104FF02 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG06 ,  4M104GG18 ,  4M104HH05 ,  5F047BA15 ,  5F047BC01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-028113   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• 特開昭52-087360
  
• 特開昭60-110127