半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028113
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228402
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板の表面電極とアルミワイヤ電極との接着性、および、電極形成後の加工性を良好にする。【解決手段】シリコン基板の表面電極としてモリブデンシリサイド膜101,アルミ・シリコン膜102,アルミニウム膜103を順次堆積し、かつ、アルミ・シリコン膜の厚さを0.05〜2.0μmとする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の主表面に形成する電極部材が、第1の電極膜のモリブデンシリサイド膜と第2の電極膜のアルミニウムを主成分としシリコン含有量が1〜2%のアルミニウム膜と第3の電極膜のアルミニウムを主成分としシリコン含有量が0.1% 以下であるアルミニウム膜の3層の金属膜から形成されており、該電極膜上に固着されたワイヤ電極を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/60 301 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/88 T , H01L 21/28 301 T , H01L 21/60 301 P , H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 655 A

Fターム (31件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB26 , 4M104BB38 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104GG18 , 4M104HH08 , 4M104HH14 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH29 , 5F033KK01 , 5F033LL09 , 5F033MM08 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033VV07 , 5F033WW02 , 5F033XX12 , 5F044EE06 , 5F044EE13 , 5F044EE21 , 5F044FF05

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-070998 出願人：三洋電機株式会社
特開昭64-045163
特開平4-346231

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