特許
J-GLOBAL ID：200903046046353361
窒化ガリウム系化合物半導体とこの半導体を使用した発光素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-098499
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178212
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】 マグネシウムをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗なp型とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法は、気相成長法により、基板上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、水素の結合されたマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる。成長されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層の全体をアニーリングして、マグネシウムの含まれる窒化ガリウム系化合物半導体層からマグネシウムと結合している水素を除去し、マグネシウムよりも水素量の少なくなったp型窒化ガリウム系化合物半導体層とする。
請求項（抜粋）：
気相成長法により、マグネシウムおよび水素を含む窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、成長された窒化ガリウム系化合物半導体層がアニーリングされて、マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層からマグネシウムと結合している水素が除去され、マグネシウムよりも水素量が少なくなっているp型窒化ガリウム系化合物半導体。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/324
, H01S 3/18
, H01L 21/205
H01L 33/00 C
, H01L 21/324 C
, H01S 3/18
, H01L 21/205
