特許
J-GLOBAL ID：200903046063095376
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長南 満輝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-218290
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035989
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】 SOI基板を有する半導体構成体をベース板上に設けた半導体装置において、SOI基板の下面をグランド電位とする。【解決手段】 半導体構成体3のSOI基板6のシリコン基板7の下面は、突起電極5を介して、ベース板1の上面に設けられたグランド層2に接続されている。グランド層2は、上層絶縁膜22、絶縁層21、グランド層2およびベース板1に設けられた貫通孔31内に設けられた上下導通部32を介して、グランド用の上層配線25に接続されている。これにより、半導体構成体3のSOI基板6のシリコン基板7の下面はグランド電位とされている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも表面にグランド接続用導電層を有するベース部材に、一面に集積回路が形成された半導体構成体の他面を接着層により接着すると共に、前記グランド接続用導電層と前記半導体構成体の他面との間に両者を電気的に接続する上下導通部材を介在したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 21/320
, H01L 23/52
H01L23/12 501P
, H01L21/88 T
5F033HH11
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033KK08
, 5F033RR04
, 5F033RR22
, 5F033VV07
