シリコン窒化膜の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241221
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135637
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 NH3処理を高圧/低温の工程条件下で実施することにより、窒化効果が低下することなくNH3処理時に必要な時間を削減し、シリコン窒化膜の形成時に生じる時間的なロスを防止し、生産性を向上するシリコン窒化膜の形成方法を提供する【解決手段】酸化膜が形成されたウェーハを高圧バルブを備えるLP・CVDチャンバの内部に入れ、高圧/低温条件下でNH3処理を施す段階と、NH3処理のときと同一の温度でシリコン窒化膜を形成する段階とを含んでいる。そのため、各工程によって圧力または温度を変化させる必要がなく、窒化効果が低下することなく処理に必要な時間を削減でき、生産性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

酸化膜が形成されたウェーハを高圧バルブを有するLP・CVDチャンバ内に入れ、高圧/低温条件下でNH3処理を施す処理段階と、前記処理段階と同一の温度でシリコン窒化膜を形成する段階と、を含むことを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。

引用特許：

出願人引用 (3件)

窒化膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-090634 出願人：国際電気株式会社
特開平2-016763
特開昭61-172339

審査官引用 (2件)

窒化膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-090634 出願人：国際電気株式会社
特開平2-016763

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