特許
J-GLOBAL ID：200903046093145386
ZnO系薄膜、ZnO系薄膜を用いた熱電変換素子、及び赤外線センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-309651
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146586
出願日： 2002年10月24日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】高い熱電材料特性を備えたZnO系薄膜、ZnO系薄膜を用いた熱電変換素子、及び赤外線センサを提供する。【解決手段】ZnO系薄膜の平均結晶粒径を200nm以上、粒径ばらつきが標準偏差で30nm以下とする。薄膜形成方法を用いて、10nm/min以下の成膜レートでZnO系薄膜を形成する。薄膜形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法、レーザアブレーション法などの方法を用いることができる。また、本願発明のZnO系薄膜を用いて、熱電変換素子又は赤外線センサの熱電対を形成する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
平均結晶粒径が200nm以上、粒径ばらつきが標準偏差で30nm以下であることを特徴とするZnO系薄膜。
IPC (4件)：
H01L35/22
, C23C14/08
, G01J1/02
, H01L35/34
H01L35/22
, C23C14/08 C
, G01J1/02 C
, H01L35/34
2G065AA04
, 2G065AB02
, 2G065BA11
, 2G065DA20
, 4K029BA49
, 4K029BC10
, 4K029CA06
, 4K029DC03
