特許
J-GLOBAL ID：200903046103880276
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173643
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012956
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 レーザ光のアスペクト比を約1.0〜3.0と円形に近い形状にし、レーザ光を用いた製品の作製にあたって、レーザビームの絞りやレンズ設計が容易となる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 p側及びn側のクラッド層12、7の間に、活性層9を含む導波路領域を有し、p側クラッド層12の上にp側コンタクト層13が積層されてなり、p側コンタクト層13側からp側クラッド層12と導波路領域との界面よりも基板1側にかけてエッチングして形成された幅0.5〜2.0μmのリッジ形状のストライプを有し、ストライプの両側面及びその側面と連続した窒化物半導体層の平面に、屈折率が活性層の屈折率より小さい値を有する絶縁膜を有し、ストライプの最上層にあるp側コンタクト層13の表面全面に接するようにp電極20が設けられている。
請求項（抜粋）：
Alを含む窒化物半導体層を有するp側及びn側のクラッド層の間に、InGaNを少なくとも有する活性層を含む導波路領域を有し、前記p側クラッド層の上に、p側コンタクト層が積層されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記p側コンタクト層側からp側クラッド層と導波路領域との界面よりも基板側にかけてエッチングして形成された幅0.5〜2.0μmのリッジ形状のストライプを有し、該ストライプの両側面及びその側面と連続した窒化物半導体層の平面に、屈折率が前記導波路領域の屈折率より小さい値を有する絶縁膜を有し、更に該絶縁膜を介して、少なくとも前記ストライプの最上層にあるp側コンタクト層の表面全面に接するようにp電極が設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Fターム (4件)：
5F073AA11
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073EA19
