特許
J-GLOBAL ID：200903096755477730

窒化物半導体レーザ素子

発明者：
山田 孝夫

山田 孝夫 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006299
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199787
出願日： 1996年01月18日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体レーザ素子の活性層の横モードの光閉じ込めを行い安定したレーザ素子を得る。【構成】 n型窒化物半導体とp型窒化物半導体層との間にレーザ発振する活性層を有し、レーザ光の共振方向に対して平行な前記n型窒化物半導体層、前記活性層及び前記p型窒化物半導体層の表面には誘電体薄膜が形成され、その誘電体薄膜の表面に金属薄膜が形成されている。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体とp型窒化物半導体層との間にレーザ発振する活性層を有し、レーザ光の共振方向に対して平行な前記n型窒化物半導体層、前記活性層及び前記p型窒化物半導体層の表面には誘電体薄膜が形成され、その誘電体薄膜の表面に金属薄膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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