ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054507
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004086
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチング工程後の、パターン寸法の高精度制御性、マスク耐性及び下地膜との選択比向上、レジストや側壁膜残渣の解消、アフターコロージョン及びマイクロローディング効果を抑制する。【解決手段】レジスト4をマスクに、プラズマCVD酸化膜3をパターニングし、これをマスクとして塩素ガスを用いて、Al合金積層膜2を室温以下の基板温度でドライエッチングする。

請求項（抜粋）：

パターニングされた無機絶縁膜をマスクとして、少なくとも塩素を含有するガスを用いて、Al合金積層膜よりなる配線材料膜を室温以下の基板温度にてドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/302 G , H01L 21/30 572 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭50-122878
特開昭54-096363
特開平2-277234

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