特許

J-GLOBAL ID：200903046152286517

半導体装置の製造方法

発明者： 最上 徹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123981
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313114
出願日： 1997年05月14日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 ゲート電極からシリコン基板へのボロン突き抜けを効果的に防止し、トランジスタのしきい値電圧変動を大幅に低減する。これによりゲート絶縁膜の薄膜化を可能とし、優れた特性の半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上にシリコン窒化膜3を形成した後、該シリコン窒化膜3を酸素含有ガスの雰囲気下で熱酸化することによりシリコン酸窒化膜4を形成する。加熱処理は700°C以上1100°C以下とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたシリコン酸窒化膜をゲート絶縁膜として用い、該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板上にシリコン窒化膜を形成した後、該シリコン窒化膜を酸素含有ガスの雰囲気下で熱酸化することにより前記シリコン酸窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-014734   出願人：富士通株式会社
• 特開平1-035954
  
• 特開昭59-055062
  
• 特開平4-092423