特許

J-GLOBAL ID：200903033672929181

半導体装置の製造方法

発明者： 青山 敬幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014734
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221092
出願日： 1994年02月09日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 SiOX NY からなる絶縁膜の形成方法に関し,絶縁膜の低温処理,高窒素濃度化,窒素濃度分布の制御及び欠陥の減少を目的とする。【構成】 Si基板1表面にハロゲンを含有するSiO2 層2を形成した後,SiO2 層2を窒化してシリコンオキシナイトライド層2aに変換する。また,Si基板表面に窒化シリコン層を形成したのち,酸素と窒素の混合ガス又はNO若しくはN2 Oとの混合ガス中で熱処理して,その窒化シリコン層をシリコンオキシナイトライド層に変換する工程とを有するように構成する。

請求項（抜粋）：

シリコンオキシナイトライド層(2a)を絶縁膜として有する半導体装置の製造方法において,Si基板(1)表面にハロゲンを含有するSiO2 層(2)を形成する工程と,該ハロゲンを含有するSiO2 層(2)を窒化して該シリコンオキシナイトライド層(2a)に変換する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-134936
  
• 特開昭49-078483
  
• 半導体装置の絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-272969   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-308828   出願人：株式会社日立製作所