半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146700
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340580
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 HEMT及びMESFETの高耐圧化を図ることが困難であった。【解決手段】 HEMTの主動作領域を半導体基体1の台状部分12に形成する。この台状部分12におけるソース細条部分2aとドレイン細条部分3aから台状部分12の外側に延在させた円形先端部分2d、3dを設ける。細条部分2a,3aの一端部2e,3eを先細に形成する。

請求項（抜粋）：

単一又は複数の半導体層を有し且つ一方の主面に主動作領域用台状部分を有する半導体基体と、前記台状部分の上に並置された細条部分を有する第1及び第2の電極とを備え、且つ前記台状部分の少なくとも一部が電流通路となって電流が前記第1及び第2の電極の相互間に流れるように構成された半導体装置において、前記台状部分の上における前記第1の電極の前記細条部分の端部と前記第2の電極の前記細条部分の端部との相互間隔が前記第1及び第2の電極の前記細条部分の最短相互間隔よりも広くなるように前記第1及び第2の電極の前記細条部分の少なくとも一方の端部の幅が前記細条部分の中央部の幅よりも狭くなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (2件)：

H01L 29/80 L , H01L 29/80 H

Fターム (7件)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GQ01 , 5F102GS08 , 5F102GS09

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-143534
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-280856 出願人：日本電気株式会社
特開昭61-222272

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