特許
J-GLOBAL ID：200903046211581811
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071176
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270683
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】ゲート耐圧が高く、かつチャネルリークの小さいトレンチゲートを有する半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】トレンチ内部にゲートを埋め込む構造の半導体装置において、ゲート引き出し部を絶縁する熱酸化膜を形成する際、ゲートパッドの下部におけるゲート引き出し用のトレンチ開口周辺領域に、前記トレンチパターンを内包するように、増速酸化作用を有するP、As、Sb、Bを高濃度に添加したn+ 高濃度不純物層を形成した後、前記トレンチの内壁を含む下地シリコン表面を熱酸化することにより、従来トレンチ開口周辺のエッジ部分に生じていた尖りを増速酸化作用により除去し、ゲート耐圧を向上することができる。またゲートパッド下部のpベース層の濃度を高くすることにより、チャネルリークの発生を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成された少なくとも1層の第1導電型のドレイン層と、このドレイン層上に積層された第2導電型のベース層と、このベース層を貫通し、前記ドレイン層に達するトレンチと、ゲートパッドの下部において前記トレンチの開口周辺に前記ベース層の厚さより浅く形成された増速酸化に役立つ高不純物濃度層と、前記トレンチの内部表面を含むシリコン表面を覆う熱酸化膜とを備え、前記増速酸化に役立つ高不純物濃度層により、前記トレンチの開口周辺のエッジ部分における前記熱酸化膜の膜厚が、前記シリコン表面における平面上の膜厚と同等にされたことを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 301 J
, H01L 29/78 653 A
