特許
J-GLOBAL ID：200903046212771169
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-164772
公開番号（公開出願番号）：特開平10-011989
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】低電圧下における高速動作を実現でき、高電圧下の動作モードにおけるリーク電流の発生を防止できる半導体装置を提供する。【解決手段】PMOSトランジスタPT1,PT2とNMOSトランジスタNT1,NT2、およびインバータINV1により構成されたレベル変換回路11と、PMOSトランジスタPT3およびNMOSトランジスタNT3により構成された出力バッファ12と、読み出し、書き込み、および消去動作を示す動作モード信号SMOD を受けて、動作モードに応じた電圧値に設定した動作電圧VPP、バックバイアス用電圧VBp,VBnを対応する供給端子TVPP 、TVBp 、TVBnに供給する動作電圧供給回路13とを設け、高電圧がかかる書き込みおよび消去モード時に、それに応じて読み出し時と異なる動作電圧より絶対値が大きいバックバイアス用電圧VBp,VBnをトランジスタの基板に供給する。
請求項（抜粋）：
少なくとも2つの動作モードを有し、第1のモード時は第1の動作電圧が供給され、第2のモード時は第2の動作電圧が供給される半導体装置であって、ゲート端子への印加電圧に応じて、動作電圧供給端子と出力端子とを導通状態または非導通状態に保持する少なくとも一つの絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、上記第2のモード時に、上記第2の動作電圧の絶対値が上記第1の動作電圧の絶対値より大きい場合、上記絶縁ゲート型電界効果トランジスタの基板に、上記第1のモード時より絶対値が大きいバックバイアス電圧を供給する電圧供給手段とを有する半導体装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, H03K 19/0185
, H03K 19/094
G11C 17/00 309 D
, H03K 19/00 101 E
, H03K 19/094 D
