特許
J-GLOBAL ID：200903046214546030
エッチング装置及びエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087429
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251986
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハ等が大口径化されても精度の高いエッチングを行い、被エッチング膜の形成工程における管理基準も緩和させる。【解決手段】 半導体ウェハ22上の被エッチング膜のうちで分割された複数の領域の各々における被エッチング膜の膜厚分布をインターフェイス26で得て、この膜厚分布に基づいて複数の領域の各々に対するエッチング時間を演算器25で求め、このエッチング時間だけ複数の領域の各々に対してエッチングを行う。このため、被エッチング膜の面積が大きくて膜厚分布の均一性が悪くても、膜厚分布に応じた最適なエッチングを行うことができる。
請求項（抜粋）：
被エッチング膜のうちで分割された複数の領域のうちの一つの領域をエッチングするための粒子群を照射する照射手段と、前記複数の領域の各々における前記被エッチング膜の膜厚分布に基づいて前記複数の領域の各々に対するエッチング時間を求める演算手段と、前記複数の領域のうちの一つの領域に対して前記エッチング時間だけ前記照射手段を作動させる時間制御手段と、前記エッチング時間の経過後に前記照射手段を前記複数の領域のうちの次の領域まで相対的に移動させる移動手段とを具備することを特徴とするエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 A
, C23F 4/00 A
